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AOSMOS管与IGBT详细的区别分析以及举例说明
MOSFET和IGBT内部结构不同， 决定了其应用领域的不同。 1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。 2. IGBT可以做
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AOS场效应管与BJT放大电路的比较
性能比较 AOS 场效应管放大电路的共源电路、共漏电路、共栅电路分别与三极管放大电路的共射电路、共集电路、共基电路相对应。 共源电路与共射电路均
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用两个AOSMOS管实现低功耗双稳态电路
双稳态电路是我们经常用于作为单键控制负载开关电路。在这里我介绍一个由两个MOS管构成的低功耗双稳态电路。 如图 点击看大图 假设Q1的G极输入是高电
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