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AOZ8131是超低电容，双向瞬态电压抑制二极管，旨在保护和电压高速数据行，电子从高瞬态条件和敏感防静电。
这个设备包含一个超小型的TVS二极管，DFN 1006包。可被用来满足防静电免疫IEC 61000-4-2的需求,四级(±15千伏空气,±8千伏接触放电)。在1006年一个通过无铅认证DFN AOZ8131来包和额定在-40°C + 85°C的环境温度范围内。超微1.0 x 0.6 x 0.5毫米DFN包使它适合应用在PCB空间是一个溢价。小尺寸和高ESD保护使它适合保护电子从高瞬态电压敏感条件和静电。
特征
高速数据线的ESD保护：
–超过：
IEC 61000-4-2（ESD）±24kV（空气），±24kV（接触）
IEC 61000-4-4（EFT）±40A（5/50ns）
IEC 61000-4-5（闪电）±4a
–人体模型（HBM）±30kV
小包装节省板空间
超低电容：1.25pF
夹持电压低
低工作电压：5.0V
无铅装置
应用
便携式手持设备
键盘、数据线、按钮
笔记本电脑
数码相机
便携式GPS
MP3播放器
类型：齐纳
双向通道：1
电压 - 反向关态（典型值）：5V（最小值）
电压 - 击穿（最小值）：6V
电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：22V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)：4A（8/20μs）
功率 - 峰值脉冲：-
电源线路保护：无
应用：通用
不同频率时的电容：1.25pF @ 1MHz
工作温度：-40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：2-UFDFN
供应商器件封装：DFN1006
