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AOSMOS管击穿是什么原因

AOSMOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U

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AOS场效应管的特点以及优势

AOS场效应管特点: 具有输入电阻高(100M~1 000M)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已

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开关MOS管发热的原因

做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到场效应管,也就是人们常说的MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是

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AOSMOS管与IGBT详细的区别分析以及举例说明

MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同。 1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。 2. IGBT可以做

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AOS场效应管与BJT放大电路的比较

性能比较 AOS 场效应管放大电路的共源电路、共漏电路、共栅电路分别与三极管放大电路的共射电路、共集电路、共基电路相对应。 共源电路与共射电路均

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用两个AOSMOS管实现低功耗双稳态电路

双稳态电路是我们经常用于作为单键控制负载开关电路。在这里我介绍一个由两个MOS管构成的低功耗双稳态电路。 如图 点击看大图 假设Q1的G极输入是高电

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