FET 类型 P 沟道 | 技术 MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) 20V | 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V | 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 97 毫欧 @ 3A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.1nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) ±8V | 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 10V |
FET 功能 - | 功率耗散(最大值) 1.4W(Ta) |
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 表面贴装 |
供应商器件封装 SOT-23-3L | 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装: SOT-23 | 包装: 3000PCS/包 |
数量: 5000 | 备注: 专业AOS品牌,大量现货优势库存 |