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大电流浪涌电视_AOZ8202CI-12

类型 齐纳 系列 - 零件状态 在售 电源线路保护 无 工作温度 -40C~85C(TJ) 功率-峰值脉冲 125W 通道数量 1 应用 通用 安装类型 表面贴装(SMT) 对无铅要求的达标

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反并联二极管_AOB10B60D

类别:分立半导体产品 家庭:IGBT - 单路 系列:Alpha IGBT?? 包装:带卷(TR) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A -电压 - 集射极击穿(最大值):600V 脉冲电

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IGBT_AOK40B60D1

类别: 分立半导体产品 家庭: IGBT-单路 系列: AlphaIGBT 包装: 管件 电压-集射极击穿(最大值): 600V 电流-集电极(Ic)(最大值): 80A 脉冲电流-集电

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N 沟道AON6240

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 40V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 27A(Ta),85A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.

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双通道AOD609

FET 类型 N 和 P 沟道,共漏 FET 功能 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) 40V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 12A 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 12A,10

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N 沟道AOD2810

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 80V 电流 - 连续漏极(Id)(25C 时) 10.5A(Ta),46A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

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